安森美推垂直氮化镓，损耗降近50%

10月31日，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，这一创新产品在降低能量损耗方面成效显著，损耗减少近50%。

在超高压器件领域，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，实现了电流垂直流过芯片，而非传统的沿表面横向流动。这种创新的电流传导方式是降低能量损耗和热量的关键所在。

当下，人工智能数据中心、电动汽车等高能耗应用领域对能源的需求日益增长，对功率密度、效率和耐用性也提出了更高要求。安森美的垂直氮化镓功率半导体适时推出，为这些领域带来了新的解决方案。

目前，安森美已向早期客户提供700V和1200V器件样品。该技术由安森美位于纽约州锡拉丘兹的晶圆厂研发制造，企业拥有超130项全球专利，覆盖垂直GaN技术的众多方面。

安森美半导体企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示，垂直氮化镓技术将改变行业格局，巩固安森美在能效和创新领域的领先地位。在电气化和人工智能重塑各行业的当下，能效成为关键竞争因素，垂直氮化镓技术纳入功率产品组合，为客户实现卓越性能提供了有力工具。

安森美垂直氮化镓技术旨在处理单片芯片中的高电压（1200伏及以上），能在高频下高效切换大电流。采用该技术构建的高端电源系统，不仅大幅降低损耗，还因更高的工作频率，可大幅缩小器件尺寸，包括电容器和电感器等无源器件。而且，与市售的横向GaN器件相比，vGaN器件尺寸约只有其三分之一，为相关应用领域实现更小巧、轻便的系统提供了可能。