芯联集成发布碳化硅G2.0，剑指两大热门领域

在SiC MOSFET于新能源汽车主驱领域快速实现上量应用后，AI数据中心电源成为下一个爆发式增长市场。近日，芯联集成（688469）发布全新碳化硅G2.0技术平台，该平台采用8英寸更先进制造技术，达到全球领先水平，剑指新能源汽车与AI数据中心两大热门领域。

碳化硅G2.0技术平台通过对器件结构与工艺制程进行双重优化，达成“高效率、高功率密度、高可靠”的核心目标，全面覆盖电驱与电源两大应用场景。

在电驱领域，芯联集成碳化硅G2.0电驱版优势尽显。其凭借更低的导通损耗与优异的开关软度，使功率密度提升20%。这一提升可显著增强新能源汽车主驱系统的动力输出，优化能效表现，为整车续航提升提供关键支撑，让新能源汽车在动力与续航方面有更出色的表现。

电源场景中，芯联集成碳化硅G2.0电源版同样表现卓越。它针对性地优化寄生电容设计，并通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%。同时，兼具强化的动态可靠性设计，实现了电源转换效率与系统功率密度的大幅提升。这种性能提升完美适配SST、HVDC等AI数据中心电源及车载OBC电源需求，无论是在数据中心稳定供电，还是车载电源高效运作上，都能发挥重要作用。

此次芯联集成发布的碳化硅G2.0技术平台，以其创新性的技术优化，为新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场带来新的发展动力，有望在这两大热门领域掀起新的变革，推动行业向更高效率、更高功率密度、更可靠的方向发展。