DGIST开发出新型短波红外图像传感器

韩国DGIST联合KIST、庆北大学研发的新型Ag₂Te/MoS₂混合短波红外图像传感器获突破。该传感器通过量子点与二维材料异质结设计，实现高增益（10^5A/W）、快速响应（<10ms）及低噪声，成功制备32×32像素阵列验证。核心创新为MOCVD生长MoS₂薄膜与Ag₂Te量子点耦合，工作波段950-1457nm，成果发表于《Advanced Materials》，将为自动驾驶等领域提供低成本高集成度方案。